A plant growth method includes applying a silicate to at least the vicinity of the root hairs of a plant that has been planted, and allowing the plant to absorb silicon together with water by intermittently supplying water to the plant at a given rate for a given period so that the leaves of the plant contain a silicon component at a high concentration. The plant growth method improves the air quality-improving effect of a foliage plant by promoting photosynthesis in the foliage plant.La présente invention concerne un procédé de culture de plante qui comprend lapplication dun silicate au moins au voisinage des radicules dune plante qui a été plantée, permettant que la plante absorbe du silicium conjointement avec de leau par approvisionnement intermittent deau à la plante à un débit donné pendant une durée donnée de sorte que les feuilles de la plante contiennent un composant de silicium à une concentration élevée. Le procédé de culture de plante améliore leffet damélioration de la qualité de lair dune plante feuillue en stimulant la photosynthèse dans la plante feuillue.
