HAHNL, Mirko,STORCK, Karl-Otto,TRUTWIG, Leonhard,WANDKE, Dirk,KOPP, Matthias,HELMKE, Andreas
申请号：
DEDE2016/100274
公开号：
WO2017/008781A1
申请日:
2016.06.16
申请国别(地区):
DE
年份:
2017
代理人:
摘要：
Ein Behandlungsgeräi für eine mit einem dielektrisch behinderten Plasma zu behandelnde Oberfläche, mit einem Gehäuse (1), das eine Stirnwand (14, 14') aufweist, mit einer zur zu behandelnden Oberfläche durch ein wenigstens einen Teil der Stirnwand (14, 14') bildendes Dielektrikum (19, 34) abgeschirmten Elektrode (18, 33), die mit einem Hochspannungsgenerator (17) verbindbar ist, wobei die Stirnwand (14, 14') wenigstens einen Abstandshalter (29, 29') aufweist, mit dem beim Anliegen des wenigstens einen Abstandshalters (29, 29') an der zu behandelnden Oberfläche wenigstens ein Gasraum gebildet wird, in dem sich für die Behandlung das dielektrisch behinderte Plasma ausbildet, ermöglicht die gleichzeitige Behandlung mit dem dielektrisch behinderten Plasma und dosierte Zuführung eines Behandlungsmitteis dadurch, dass auf der von der zu behandelnden Oberfläche abgewandten Seite der Stirnwand (14, 14') eine mit einem Behandlungsmittei füllbare Vorratskammer (25, 25') angeordnet ist, dass die Stirnwand (14, 14') Durchgangsöffnungen (28, 28') aufweist und dass die Vorratskammer (25, 25') in ihrem Volumen so verkleinerbar ist, dass bei der Verkleinerung des Volumens Behandlungsmittel durch die Durchgangsöffnungen (28, 28') in den Bereich der zu behandelnden Oberfläche gelangt.The invention relates to a treatment device for a surface to be treated using a dialectically impeded plasma, comprising a housing (1) which has an end wall (14, 14') and comprising an electrode (18, 33) which is shielded from the surface to be treated by a dielectricum (19, 34) that forms at least one part of the end wall (14, 14') and which can be connected to a high-voltage generator (17). The end wall (14, 14') has at least one spacer (29, 29') by means of which at least one gas chamber is formed when the at least one spacer (29, 29') rests against the surface to be treated, and the dialectically impeded plasma is formed in the gas chamber for the treatment process. The treatment device simultaneousl
