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Protection circuit
专利权人:
CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人:
Satoru Mikajiri
申请号:
US14939448
公开号:
US10426431B2
申请日:
2015.11.12
申请国别(地区):
US
年份:
2019
代理人:
摘要:
A P-channel type MOSFET and an N-channel type MOSFET formed by a CMOS process are connected in series. A high-voltage signal and a low-voltage signal are applied to the drain of one of transistors. Prescribed bias voltage is applied to both gates in order that only a low-voltage signal can pass through both conduction paths.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
相关发明人
satoru mikajiri
三ヶ尻 悟
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