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양극처리를 이용한 마그네슘 기반 임플란트의 불화막 표면처리 방법 및 이에 의해 제조되는 불화막 처리된 마그네슘 기반의 임플란트
专利权人:
INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION; YONSEI UNIVERSITY
发明人:
KIM, KWANG MAHNKR,김광만,JIANG HENG BOCN,강형파
申请号:
KR1020150147497
公开号:
KR1020170047072A
申请日:
2015.10.22
申请国别(地区):
KR
年份:
2017
代理人:
摘要:
The present invention relates to a technology for treating the surface of a material for a magnesium (Mg) based implant, and specifically, to a method for the surface treatment of a fluoride coating on a material for a magnesium based implant capable of reducing the treatment time and providing a simple process by anodizing the implant material containing magnesium or a magnesium alloy using a liquid electrolyte containing fluorine (F) and a composition of the magnesium based implant material manufactured by the method, and which has improved corrosion resistance, excellent surface properties, and no cytotoxicity.COPYRIGHT KIPO 2017본 발명은 마그네슘(Mg) 기반 임플란트 재료의 표면을 처리하는 기술에 관한 것으로, 구체적으로는 마그네슘 또는 마그네슘 합금을 포함하는 임플란트 재료를 불소(F)가 함유된 액상 전해질을 이용해 양극처리(anodizing) 함으로써 간편하고 처리시간이 단축된 마그네슘 기반 임플란트 재료의 불화막 표면처리 방법 및 이를 통해 제조되는 내부식성이 향상되고 표면 특성이 우수하며 세포독성이 없는 마그네슘 기반의 임플란트 재료 조성물에 관한 것이다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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