一种脱毒马铃薯试管苗的继代培养方法
- 专利权人:
- 天津市天兴佳业科技有限公司
- 发明人:
- 胡小兰,刘刚
- 申请号：
- CN201510627091.6
- 公开号：
- CN105145367A
- 申请日:
- 2015.09.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 李纳
- 摘要：
- 本发明提供了一种脱毒马铃薯试管苗的继代培养方法，包括品种选择、培养基的配制、灭菌、接种、继代培养过程，所述脱毒马铃薯试管苗继代培养过程中，夏季通过调节日间和夜间的日光灯的开关时间，控制培养室室内温度平衡，日间培养室的温度保持在23-25℃，夜间培养室的温度保持在16-17℃，所述日光灯每天18:00-19:00开启，次日早晨7:00-8:00关闭。本发明的有益效果是：降低了由于为培养苗提供光照造成培养室温度过高，导致继代培养苗的生长受到抑制，造成烧苗、死苗的现象，可节约电力能源的消耗，比传统培养方法可节约6-21天的培养时间。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
