the present invention is any poison chulyong row selection wiring or wiring disconnection is that if It relates to any of such high resolution solid-state imaging device provided with a structure for obtaining an image. Art solid-state image sensor (1) is a matrix with M rows N columns N pixel portions two-dimensionally arranged in M (P 1,1 ~ P M, N ) and a light receiving portion 10 having a. The pixel portion of the light-receiving unit (10) (P m, n ) is a photodiode (PD) and a photodiode (PD) connected with dock chulyong switch to generate a positive charge in accordance with incident light intensity It includes (SW 1 ). A pixel portion (P m, n ) is an area of almost a square and occupies most of the area is a region of the photodiode (PD). Dock chulyong switch at a corner portion of the area (SW 1 ) as a field effect transistor is formed. The region sandwiched by the pixel portion is a channel stopper (CS) is formed continuously. In a region surrounded by any 2 2 pixel portions adjacent to each other is more cosmetic photodiode (PD1) is surrounded by a channel stopper (CS) is formed.본 발명은 어느 독출용 배선 또는 행 선택용 배선이 단선되어 있는 경우라도 높은 해상도의 화상을 얻기 위한 구조를 구비한 고체 촬상 장치 등에 관한 것이다. 당해 고체 촬상 장치(1)는 M행 N열의 매트릭스 형상으로 2차원 배열된 M×N개의 화소부(P1,1~PM,N)를 갖는 수광부(10)를 구비한다. 수광부(10)의 화소부(Pm,n)는 입사광 강도에 따른 양의 전하를 발생하는 포토다이오드(PD)와, 이 포토다이오드(PD)와 접속된 독출용 스위치(SW1)를 포함한다. 화소부(Pm,n)는 거의 정방형의 영역을 차지하고 있고, 그 영역의 대부분이 포토다이오드(PD)의 영역이다. 그 영역의 한 코너부에 독출용 스위치(SW1)로서의 전계 효과 트랜지스터가 형성되어 있다. 화소부에 의해 낀 영역에는 채널 스토퍼(CS)가 연속하여 형성되어 있다. 서로 인접하는 임의의 2×2개의 화소부에 의해 둘러싸여진 영역에는 채널 스토퍼(CS)에 의해 둘러싸인 더미용 포토다이오드(PD1)가 형성되어 있다.
