半導体装置の製造方法、露光条件の決定方法およびプログラム
- 专利权人:
- キヤノン株式会社
- 发明人:
- 山▲崎▼ 智宣,稲 秀樹
- 申请号：
- JP20160146790
- 公开号：
- JP2018017835(A)
- 申请日:
- 2016.07.26
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】露光装置の露光条件を決定するのに有利な技術を提供する。【解決手段】露光装置を用いて半導体装置を製造する製造方法であって、露光装置による露光を経て形成されるパターンから得られる第１の情報に基づいて露光条件を決定する決定工程と、決定工程において決定した露光条件に従って基板を露光するリソグラフィー工程と、を含み、第１の情報が、パターンの面積を含む。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
