一种二维层状GeP材料及其制备方法和应用
- 专利权人:
- 华中科技大学
- 发明人:
- 夏芳芳,翟天佑,张悦,王发坤
- 申请号：
- CN202010154342.4
- 公开号：
- CN111320153A
- 申请日:
- 2020.07.03
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明属于二维材料领域,并具体公开了一种二维层状GeP材料及其制备方法和应用,制备方法包括如下步骤:S1采用锗单质和红磷制备GeP单晶块体;S2对GeP单晶块体进行电化学剥离得到二维层状GeP材料,电化学剥离时采用0.3mol/L~0.8mol/L的四丁基氨离子液体作为电解液。本发明通过电化学剥离的方法制备出不同厚度的二维层状GeP纳米薄片,从而解决传统制备方法效率低、不易控制的问题,进一步提高制备二维材料制备的均匀性和可控性,制备出的二维材料在储能、生物载药、催化、非线性光学等方面有良好的应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
