亚共晶铝硅合金中初生硅相形成的方法
- 专利权人:
- 上海交通大学
- 发明人:
- 施忠良,顾明元,吴人洁,刘俊友
- 申请号：
- CN95111669.X
- 公开号：
- CN1041846C
- 申请日:
- 1995.06.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 1999
- 代理人:
- 王锡麟
- 摘要：
- 本发明是一种亚共晶铝硅合金中初生硅相形成的方法，它综合利用流变混熔处理工艺和分阶段变质处理工艺，使初生和共晶硅相的形态和分布得到改善，机械性能显著提高。其主要特征是分别把两种原料分别同时加热，并在不同的温度下保温，对其中一原料加变质剂，然后通过搅拌→倾入混和→再搅拌，在再搅拌时加另一类变质剂，而后成形。通过在流变混熔工艺中控制过共晶铝硅合金液固区域内的温度以及硅成分含量来改善初生硅相的分布。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
