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一种促进黄瓜生长的方法及其专用培养基
专利权人:
中国科学院植物研究所
发明人:
张文浩,李银心,王宝兰
申请号:
CN200910076246.6
公开号:
CN101773060A
申请日:
2009.01.08
申请国别(地区):
中国
年份:
2010
代理人:
关畅
摘要:
本发明公开了一种促进黄瓜生长的方法及其专用培养基。本发明提供的促进黄瓜生长的专用培养基中,除植物必须的大量和微量元素外,还加入能够调节植物生长的物质腐胺。本发明提供的促进黄瓜生长的方法,是在盐胁迫的条件下,利用上述本发明提供的促进黄瓜生长的培养基对黄瓜进行培养。腐胺的使用浓度为10-100μm,优选50μm。该培养基能够提高盐渍条件下黄瓜的生长情况,从而提高资源的利用率,为盐渍化地区的蔬菜生产提供保障。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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