您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

Sposób wytwarzania implantów kostnych oraz implant kostny
专利权人:
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
发明人:
WITOLD ŁOJKOWSKI,TADEUSZ CHUDOBA,ELŻBIETA PIETRZYKOWSKA,ALEKSANDRA KĘDZIERSKA,DARIUSZ SMOLEŃ,WOJCIECH ŚWIĘSZKOWSKI,KRZYSZTOF KURZYDŁOWSKI
申请号:
PL399701
公开号:
PL399701A1
申请日:
2012.06.27
申请国别(地区):
PL
年份:
2014
代理人:
摘要:
to manufacture the implant is used nanoproszek with synthetic hydroksyapatutu (hap) on the structure of the heksagonalnej, whose average grain size ranges from 3 to 30 nm and the specific surface is greater than 200 m2 \/ g, from which the first forming desired geometric shape, and nast\u0119p dont it perpetuates.in the stage of forming shape drained nanoproszek irons in the matrix under a pressure of 50 mpa and 2 gpa range.in the stage of curing pressed nanoproszek at room temperature gives a pressure increasing from peaceful to peak value selected from the range 1 to 8 gpa, and the action chosen temperature range 100\u00b0c to 600\u00b0c period selected by the range 30 united oingdom will re-enter the stone age nd for 5 minutes.the density so produced implant determined method to me is not less than 75% of the theoretical density. the average grain size of material forming the implant based on the standard pn - en is not greater than 50 nm.nanotwardo\u015b\u0107 material measured using wg\u0142\u0119bnika berkovicha and load 4 mn is not less than 3 gpa, and its solubility determined according to iso standard 10993 - 4 ranges from 5 to 35 mg \/ dm3.Do wytworzenia implantu stosuje się nanoproszek z syntetycznego hydroksyapatutu (HAp) o strukturze heksagonalnej, którego średni rozmiar ziarna wynosi od 3 do 30 nm a powierzchnia właściwa jest większa niż 200 m2/g, z którego najpierw formuje się pożądany kształt geometryczny, a następnie go utrwala. W etapie formowania kształtu osuszony nanoproszek prasuje się w matrycy pod ciśnieniem z zakresu od 50 MPa do 2 GPa. W etapie utrwalania sprasowany nanoproszek o temperaturze pokojowej podaje działaniu ciśnienia narastającego od wartości pokojowej do wartości szczytowej wybranej z zakresu od 1 do 8 GPa oraz działaniu temperatury wybranej z zakresu od 100°C do 600°C przez okres wybrany z zakresu od 30 sekund do 5 minut. Gęstość tak wytworzonego implantu wyznaczona metodą helową jest nie mniejsza niż 75% gęstości teoretycznej.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充