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用于计算正电子发射断层造影的吸收参数的值的方法
- 专利权人:
- 西门子公司
- 发明人:
- J.O.布鲁姆哈根,M.芬切尔,R.拉德贝克
- 申请号：
- CN201310041350.8
- 公开号：
- CN103239251A
- 申请日:
- 2013.02.01
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种用于借助磁共振断层造影（MRT）计算用于检查对象（U）的正电子发射断层造影（PET）的吸收参数的位置分辨的值的方法。该方法包括：采集第一区域（M）内部的第一磁共振数据和第二区域（51）内部的第二MR数据，其中所述第一区域（M）位于磁共振设备（5）的视野内部，并且所述第二区域（51）与所述第一区域（M）紧邻并且位于视野的边缘处。本发明还涉及从第一区域（M）内部的第一MR数据中位置分辨地计算吸收参数的第一值，和根据第二区域（51）内部的第二MR数据位置分辨地计算吸收参数的第二值。从第一值获得三维参数图。用第二值扩展了该参数图，使得该参数图在第一区域和第二区域内部位置分辨地具有吸收参数的值。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
