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一种三氧化钼和二硫化钼复合材料的制备方法
- 专利权人:
- 国家纳米科学中心
- 发明人:
- 杨蓉,炼铮,韩秋森,王田,王琛
- 申请号：
- CN201610252480.X
- 公开号：
- CN105854901A
- 申请日:
- 2016.04.21
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 王文君
- 摘要：
- 本发明公开了一种三氧化钼和二硫化钼复合材料的制备方法，该制备方法包括步骤如下：选取基底片，清洗选取的基底片，以三氧化钼粉末为生长源，利用物理气相沉积的方法，以清洗干净的基底片为基础制备三氧化钼纳米片，得到三氧化钼纳米片；以得到的三氧化钼纳米片作为基片，以硫粉作为硫源，利用化学气相沉积法高温硫化制备三氧化钼和二硫化钼复合材料，得到三氧化钼和二硫化钼复合材料。本发明的三氧化钼和二硫化钼复合材料的制备方法简单易行。本发明制备的三氧化钼和二硫化钼复合材料可实现在可见光区域的光催化响应，大大提高了太阳光的利用率。两种材料之间能带匹配，可以实现光生电子空穴的有效分离，从而复合材料表现出较高的光催化效率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
