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SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR ÉVITER LES ÉTATS INSTABLES DANS UNE CHAMBRE SOURCE DE PLASMA
专利权人:
ASML NETHERLANDS B.V.
发明人:
RIGGS, Daniel, Jason
申请号:
USUS2016/059950
公开号:
WO2017/087169A1
申请日:
2016.11.01
申请国别(地区):
US
年份:
2017
代理人:
摘要:
In LPP EUV systems, sinusoidal oscillations or instabilities can occur m the generated EUV energy. This is avoided by detecting when the LPP EUV system is approaching such instability and adjusting the LPP EUV system by moving the laser beam of the LPP EUV sysiem. Detection is done by determining when the generated EUV energy is at or above a primary threshold. Adjusting the LPP EUV system by moving the laser beam is done for a fixed period of time, until a subsequently generated EUV energy is below the primary threshold, until a subsequently generated EUV energy is below the primary threshold for a fixed period of time, or until a subsequently generated EUV energy is at or below a secondary threshold below the primary threshold.Dans les systèmes LPP EUV, des oscillations sinusoïdales ou des instabilités peuvent se produire dans l'énergie EUV générée. Ceci est évité par la détection du moment où le système LPP EUV approche une telle instabilité et en réglant le système LPP EUV en déplaçant le faisceau laser du système LPP EUV. La détection est effectuée en déterminant le moment où l'énergie EUV générée se trouve au niveau ou au-dessus d'un seuil primaire. Le réglage du système LPP EUV en déplaçant le faisceau laser est effectué sur une durée fixe de temps, jusqu'à ce qu'une énergie EUV générée par la suite se situe en-dessous du seuil primaire, jusqu'à ce qu'une énergie EUV générée par la suite se situe en-dessous du seuil primaire sur une durée fixe de temps, ou jusqu'à ce qu'une énergie EUV générée par la suite se situe au niveau ou en-dessous d'un seuil secondaire inférieur au seuil primaire.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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