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一种增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔
专利权人:
西北核技术研究所
发明人:
宋志敏,陈昌华,蔡利兵,杜太焦,朱湘琴
申请号:
CN202110482220.2
公开号:
CN113181556A
申请日:
2021.04.30
申请国别(地区):
CN
年份:
2021
代理人:
摘要:
本发明涉及一种辐照腔,具体涉及一种增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔。克服采用现有辐照腔改进手段可行性较低的问题。本发明在辐照腔中放置了具有特定相对介电常数的绝缘介质基底,并在绝缘介质基底上刻上特定形状和尺寸的凹槽、然后再填上特定形状及尺寸的金属材质,实现了大型非金属效应物内部的场强增强,从而完成了辐照腔结构的改进。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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