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ｐ型金属酸化物半導体材料及びトランジスタ
- 专利权人:
- 財團法人工業技術研究院ＩＮＤＵＳＴＲＩＡＬ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＩＮＳＴＩＴＵＴＥ
- 发明人:
- 邱 顯浩,周 子▲き▼,趙 文軒,鄭 信民,張 睦東,黄 天恒,蔡 任豐
- 申请号：
- JP20160099185
- 公开号：
- JP2017103446(A)
- 申请日:
- 2016.05.18
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】ｐ型金属酸化物半導体材料を提供する。【解決手段】ｐ型金属酸化物半導体材料は、ＡｌｘＧｅ（１−ｘ）Ｏｙ（０＜ｘ≦０．６であり、１．０≦ｙ≦２．０）で構成されている。このｐ型金属酸化物半導体材料は、トランジスタに適用され得る。このトランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層によってゲート電極から隔てられたチャネル層と、チャネル層の両側に接触するソース電極及びドレイン電極と、を含み得る。チャネル層は、上記のｐ型金属酸化物半導体材料である。【選択図】図２
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
