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HÉTÉROSTRUCTURE D'IMAGERIE COMPRENANT DEUX MATÉRIAUX PHOTOCONDUCTEUR/SEMI-CONDUCTEUR DIFFÉRENTS
专利权人:
David; M.;HUNTER, David, M.;YAFFE, Martin;HUNTER
发明人:
HUNTER, DAVID, M.,YAFFE, MARTIN
申请号:
CACA2012/000119
公开号:
WO2012/109729A1
申请日:
2012.02.14
申请国别(地区):
CA
年份:
2012
代理人:
摘要:
A digital x-ray imaging device comprising: a backthinned charge-coupled device comprising, polysilicon electrodes; an insulating layer; a n channel layer; and a low doped p-layer; and a high-Z photoconductor deposited on a backthinned face of the charge- coupled device comprising, a layer of photoconductor material; and a thin bias electrode. The polarity of the device may be inverted by using a charge-coupled device based on an n- type substrate (with a p-type channel) in which the signal is comprised of holes and applying a positive bias to the electrode.La présente invention concerne un dispositif d'imagerie numérique comprenant : un dispositif à accouplement de charge à face arrière amincie comprenant : des électrodes en polysilicium ; une couche isolante ; une couche de canal n ; et une couche faiblement dopée p ; et un photoconducteur fortement dopé Z déposé sur une face à face arrière amincie du dispositif à accouplement de charge comprenant une couche de matériau photoconducteur ; et une électrode à faible polarisation. La polarité du dispositif peut être inversée au moyen d'un dispositif à accouplement de charge en fonction d'un substrat de type n (doté d'un canal de type p) dans lequel le signal est composé de trous et par application d'une polarisation positive sur l'électrode.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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