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兼具压力传感的可降解脑电极阵列
专利权人:
浙江大学昆山创新中心
发明人:
郭维,董树荣,陈婉珂,魏旭辉,王光明,金浩,裴夏川
申请号:
CN201821632634.9
公开号:
CN209450523U
申请日:
2018.09.10
申请国别(地区):
CN
年份:
2019
代理人:
摘要:
本实用新型公开了一种兼具压力传感的可降解脑电极阵列,包括可降解的衬底、压力传感器、电极阵列和封装层;封装层和衬底从上往下依次设置,压力传感器和电极阵列均位于封装层和衬底之间,衬底、压力传感器、电极阵列和封装层层压成型。本实用新型集成有压力传感,在采集脑电信号的同时对皮层肿胀进行监测,同时本实用新型均采用可降解材料,能够最大程度减小对脑部的损伤、避免手术移除电极带来的感染风险并提高采集的脑电信号的质量。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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