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三叶青多糖修饰的硫掺杂氮化碳纳米片材料的制备方法
- 专利权人:
- 中玺(泉州)科技有限公司
- 发明人:
- 邱彬
- 申请号：
- CN202010479477.8
- 公开号：
- CN111514295A
- 申请日:
- 2020.05.29
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了三叶青多糖修饰的硫掺杂氮化碳纳米片材料的制备方法，以三叶青地上部分为原材料，按照如下步骤进行提取：提取三叶青粗多糖；制备三叶青多糖粗蛋白；制备超薄硫掺杂氮化碳纳米片：称取二氰二氨与2,5‑噻吩二羧酸放在干燥的烧杯中，再加入超纯水，在60°C蒸干将蒸干的粉末研磨均匀；制备三叶青多糖修饰超薄硫掺杂氮化碳纳米片复合物：在有氮气的保护下煅烧得到红色粉末均匀物质；配制200 ppm浓度的三叶青多糖水溶液，加入红色粉末均匀物质，混匀；超声30 min，直至无明显沉淀产生。本发明涉及的三叶青多糖，可以在短暂的药物作用时间上显著的杀死细菌，并且长时间维持细菌无法增殖，具有很好的抗菌抑菌作用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
