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一种耐磨SiC/TiO2/Ti缓冲材料及其制备方法
专利权人:
浙江理工大学
发明人:
董文钧,陈旭
申请号:
CN201510162572.4
公开号:
CN104800892A
申请日:
2015.04.08
申请国别(地区):
CN
年份:
2015
代理人:
摘要:
本发明公开一种耐磨SiC/TiO2/Ti缓冲材料及其制备方法,所述材料包括Ti金属基底,生长Ti金属基底上的缓冲层以及沉积于缓冲层上的多孔SiC薄膜组成,所述缓冲层为多孔SiC/TiO2薄膜,由多壁韧性TiO2纳米纤维以及包覆TiO2纳米纤维的SiC水泥构成。缓冲层与多孔SiC薄膜均有较大的空隙,为细胞生长提供了良好环境,外侧的多孔SiC薄膜具有耐磨特性,防止材料损耗,中间的多孔SiC/TiO2薄膜起到缓冲作用,防止耐磨层在冲击下直接断裂,或者对冲击物(一般为长骨)造成损伤;因此,该材料可用于制备脚腕、膝盖等冲击部位的人造骨。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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