一种耐磨SiC/TiO2/Ti缓冲材料及其制备方法
- 专利权人:
- 浙江理工大学
- 发明人:
- 董文钧,陈旭
- 申请号：
- CN201510162572.4
- 公开号：
- CN104800892A
- 申请日:
- 2015.04.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开一种耐磨SiC/TiO2/Ti缓冲材料及其制备方法，所述材料包括Ti金属基底，生长Ti金属基底上的缓冲层以及沉积于缓冲层上的多孔SiC薄膜组成，所述缓冲层为多孔SiC/TiO2薄膜，由多壁韧性TiO2纳米纤维以及包覆TiO2纳米纤维的SiC水泥构成。缓冲层与多孔SiC薄膜均有较大的空隙，为细胞生长提供了良好环境，外侧的多孔SiC薄膜具有耐磨特性，防止材料损耗，中间的多孔SiC/TiO2薄膜起到缓冲作用，防止耐磨层在冲击下直接断裂，或者对冲击物（一般为长骨）造成损伤；因此，该材料可用于制备脚腕、膝盖等冲击部位的人造骨。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
