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一种利用GA3显著降低叶用莴苣镉含量的方法
专利权人:
四川农业大学
发明人:
谢永东,唐懿,李焕秀,孙国超,廖继超,谭华强,陈晴
申请号:
CN201710474319.1
公开号:
CN107079707A
申请日:
2017.06.21
申请国别(地区):
中国
年份:
2017
代理人:
黎祖琴
摘要:
本发明提供了一种利用GA3显著降低叶用莴苣镉含量的方法,其包括如下步骤:当叶用莴苣幼苗成熟后,用浓度为1~10μmol/L的GA3水溶液进行叶面喷施,喷施量以叶面滴水为度,每隔2天喷施1次,共喷施3次。本发明促进了Cd胁迫下生菜的生长,显著提升了株高;缓解了Cd胁迫对生菜光合速率的抑制;缓解了Cd诱导的氧化胁迫对细胞膜的伤害,降低了生菜MDA含量和电解质渗透率;降低了生菜地上部Cd含量和硝酸盐含量,提高了生菜的品质。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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