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一种单壁碳纳米管/金属薄膜传感器及其制备方法与应用
专利权人:
武汉大学
发明人:
潘春旭,罗成志
申请号:
CN201710161943.6
公开号:
CN106927448B
申请日:
2017.17.03
申请国别(地区):
CN
年份:
2019
代理人:
摘要:
本发明公开了一种基于蜘蛛丝状单壁碳纳米管(SSL‑SWNTs)/纳米金属复合薄膜的传感器的制备方法及其应用。首先在金属箔上获得SSL‑SWNTs;将金属箔酸解除去后,用有机薄膜撑起SSL‑SWNTs,得到有机薄膜支撑的SSL‑SWNTs;将有机薄膜支撑的SSL‑SWNTs在溅射仪中放入金属靶溅射,生成有机薄膜支撑的SSL‑SWNTs/纳米金属复合薄膜;在有机薄膜支撑的SSL‑SWNTs/纳米金属复合薄膜的两端涂上银浆,连上导线,即得到基于SSL‑SWNTs/纳米金属复合薄膜的传感器。该传感器的制备方法具有工艺简单、操作容易、成本低、可控性好,灵敏度高、使用寿命长、功能多,并可进行大规模生产等特点,是一种制备高性能传感器的理想方法。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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