使用散射技术最优化电路结构的制造过程

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专利权人:

先进微装置公司

发明人:

B·K·初,B·辛格,R·苏布拉马尼安,B·兰加拉让

申请号：

CN200380101793.6

公开号：

CN1706037A

申请日:

2003.10.14

申请国别(地区):

中国

年份:

2005

代理人:

戈泊`程伟

摘要：

本发明揭示一种用来监测与控制半导体制造程序的系统与方法。根据以散射测量法为基底的技术，在晶圆片经历制造程序时，测量在晶圆片上演变的重复电路内结构。该等测量值可用来产生前馈及/或回馈控制数据，该等数据用来选择性调整一个或更多个制造组件及/或与其相关联的操作参数，以调适制造过程。此外，该等测量值可用来，例如，根据成本效益分析决定是否作废晶圆片或彼的部份。直接测量电路内结构可减少有价值的芯片实质资产的牺牲，因为可能不需要在晶圆片中形成测试光栅结构，且也有助于控制实际影响所得芯片效能的组件。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/