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半导体放射线检测器及使用它的核医学诊断装置
专利权人:
日立民用电子株式会社
发明人:
小南信也,翁久实,小桥启司
申请号:
CN201310062269.8
公开号:
CN103424765A
申请日:
2013.02.27
申请国别(地区):
CN
年份:
2013
代理人:
摘要:
本发明提供一种能计测122keV和662keV的γ射线能谱的半导体放射线检测器及使用它的核医学诊断装置。半导体放射线检测器(101)使用被阴极(112)和阳极(113)夹着的半导体晶体(113)而成。半导体晶体(111)由作为杂质的铅的浓度小于0.1ppm的溴化铊的单晶构成。由于溴化铊单晶中的铅原子的浓度小,所以铅原子能够对铊原子进行置换的晶体中的缺陷的密度变小,能加长电荷载流子的捕获长度,因而,作为放射线检测器,能以高的能量分辨率计测122keV和662keV的γ射线能谱。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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