PURPOSE: A flexible gallium nitride light-emitting diode element production method and a flexible gallium nitride light-emitting diode element produced thereby are provided to facilitate an establishment of neural circuit as light on-and-off stimulation of the neural circuit is enabled in various parts through an LED array which is turned on and off independently. CONSTITUTION: A gallium nitride light-emitting diode unit element is equipped on a substrate (100) and contains an n-gallium nitride layer (202) laminated in an order, a light-emitting layer (203), and a p-gallium nitride layer. A metal contact is laminated on the n-gallium nitride layer and a p-gallium nitride layer of the gallium nitride light-emitting diode unit element. A first metal line and a second metal line connect the metal contact laminated on the n-gallium nitride layer and the p-gallium nitride layer of the gallium nitride light-emitting diode unit element. The metal contact is laminated on the first metal line and the second metal line.유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법은 희생기판 상에 질화갈륨 발광다이오드 소자를 제조하는 단계； 상기 희생기판으로부터 상기 질화갈륨 발광다이오드 소자를 화학적으로 분리하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 화학적 분리는 상기 희생기판과 질화갈륨 발광다이오드 소자 사이의 희생층을 화학적으로 제거하는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 유연성의 GaN LED 소자는 구 형태의 두개골이나 두개골 뼈 바로 아래에 위치하는 주름진 대뇌피질(인지, 사고, 언어, 기억 등의 역할, 특히 파킨슨 병은 표면에 위치하는 신경세포에 의한 증상) 등과 같이 구불구불한 표면의 인체 내에 이식가능하다. 또한 복수 개로 구성되며, 각각이 독립적으로 온/오프되는 LED 어레이를 통해 여러 부위에 신경세포의 빛 온-오프 자극이 가능하므로 신경 회로의 규명이 용이해진다.
