一种针对H₂选择性高的气体传感器

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专利权人:

钟永松

发明人:

钟永松

申请号：

CN201711080531.6

公开号：

CN107884449A

申请日:

2017.11.06

申请国别(地区):

中国

年份:

2018

代理人:

摘要：

本发明涉及一种针对H₂选择性高的气体传感器，该气体传感器为旁热式结构，包括陶瓷管，在陶瓷管外表面设有敏感材料层，在敏感材料层的两边设有一对金电极，在陶瓷管的内部设有加热元件；该加热元件为Pt加热丝；所述敏感材料层为一种混合物，其中包括SnO₂/MnO₂复合空心球和Ni纳米粉体。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/