基于CeO2-CdS减弱型的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法
- 专利权人:
- 济南大学
- 发明人:
- 魏琴,徐芮,张勇,范大伟,马洪敏,杜斌
- 申请号：
- CN201810686904.2
- 公开号：
- CN109060898A
- 申请日:
- 2018.06.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 高强
- 摘要：
- 本发明涉及基于SiO2/PDA‑Ag纳米复合物减弱CeO2‑CdS的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法。本发明以CeO2‑CdS作为基底材料并用可见光照射来获得光电流。CdS与CeO2能带匹配良好，使光电转换效率大大提高。SiO2/PDA‑Ag纳米复合物具有较大的空间位阻，其次Ag纳米颗粒与基底CdS之间存在能量转移，使光电响应实现双重减弱，增加了光电响应的变化值，从而提高了该传感器的灵敏度。根据不同浓度的待测物对光电信号强度的影响不同，实现了对脑利钠肽抗原的检测。其检测限为0.05 pg/mL。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
