Stumber, Michael, 70825, Korntal-Münchingen, DE,Schatz, Frank, 70806, Kornwestheim, DE
申请号：
DE102010030864
公开号：
DE102010030864A1
申请日:
2010.07.02
申请国别(地区):
DE
年份:
2012
代理人:
摘要：
Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Mikronadelanordnung und eine entsprechende Mikronadelanordnung sowie eine Verwendung davon. Das Verfahren weist folgende Schritte auf: Bilden einer gitterförmigen Ätzmaske (10 10 10) mit Gitterstegen (100, 110 100, 110 100, 110) mit entsprechenden Gitterkreuzungsbereichen (10a 10a 10a) und dazwischenliegenden Gitteröffnungen (10b 10b 10b) auf einem Substrat (1) Durchführen eines Ätzprozesses zum Bilden der Mikronadelanordnung (20 20 20 21 22) auf dem Substrat (1) unter Verwendung der Ätzmaske (10 10 10 11 12 13 14) und Entfernen der Ätzmaske (10 10 10 11 12 13 14). Die gitterförmige Ätzmaske (10 10 10) weist flächige Verstärkungsbereiche (115 115a, 115b) an zumindest einem Teil der Gitterkreuzungsbereiche (10a 10a 10a) auf, welche sich über die Gitterstege (100, 110 100, 110 100, 110) hinaus erstrecken.The present invention provides a process for producing a micro needle arrangement and a corresponding micro needle arrangement and use thereof. The method has the following steps of: forming a grid-shaped etching mask (10 10 " 10") with solid portions (100, 110 100 ", 110" 100 ", 110" ) with corresponding grid intersection areas (10 a 10 "a 10 " a) and intermediate grid openings (10, b 10 "b 10 " b) on a substrate (1) performing an etching process for forming the micro needle arrangement (20 20 " 20" 21 " 22 ") on the substrate (1) with the use of the etching mask (10 10 " 10" 11 " 12" 13 " 14" ) and removal of the etching mask (10 10 " 10" 11 " 12" 13 " 14). The grid-shaped etching mask (10 10 " 10") has flat reinforcing areas (115 115 "a, 115" b) on at least one part of the grid intersection areas (10 a 10 "a 10" a), which extends over the grid webs (100 , 110 100 ", 110" 100 ", 110") extend beyond said.
