一种右佐匹克隆分子印迹电化学传感器的制备方法
- 专利权人:
- 广西民族大学
- 发明人:
- 余会成,韦贻春,李浩,雷福厚,陈其锋,谭学才
- 申请号：
- CN201711253782.X
- 公开号：
- CN107957438A
- 申请日:
- 2017.12.02
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种右佐匹克隆分子印迹电化学传感器的制备方法，以右佐匹克隆为模板分子、冬凌草甲素为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、纳米粘土为掺杂剂，以N‑反式‑对香豆酰基酪胺作为交联剂，据此制备了高灵敏度的纳米粘土掺杂的右佐匹克隆分子印迹电化学传感器，该分析方法简单实用，克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
