一种纳米硒山药的槽式种植方法
- 专利权人:
- 韦小凤
- 发明人:
- 韦小凤
- 申请号：
- CN201410133569.5
- 公开号：
- CN103931386B
- 申请日:
- 2014.04.01
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 史霞`李韵
- 摘要：
- 本发明公开了一种纳米硒山药的槽式种植方法，通过采用深耕技术将深层土壤粉碎并使其上浮与耕作土混合，并通过加入一定量的含有纳米硒的生物有机肥料，使土壤肥沃、疏松、富含有机质，更加适合山药的生长，而且能够提高山药的硒含量，增加其营养及药用价值。通过采用设置有多个U型槽的种植槽进行种植，使山药能够沿U型槽横向生长，极易种植和采收，降低劳动强度和生产成本；同时，种植槽采用带有网孔的材料，其内部铺设棕榈皮，能够有效增加种植槽的透气性和透水性，既能防止水涝又能有效防旱；通过采用双层种植方法，有效增加土地的利用面积，能够大幅度增产增收。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
