彩葵的矮化栽培方法
- 专利权人:
- 中国科学院植物研究所
- 发明人:
- 刘公社
- 申请号：
- CN200410062738.7
- 公开号：
- CN1717976A
- 申请日:
- 2004.07.08
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2006
- 代理人:
- 关畅
- 摘要：
- 本发明公开了一种彩葵的矮化栽培方法，该方法是在常规栽培管理条件下，选择下述处理中的至少一种：1)在播种前用矮化剂浸种；2)在第一对真叶期喷施矮化剂；3)在显蕾期喷施矮化剂；所述矮化剂是浓度为1－200ppm的多效唑溶液或浓度为1000－5000ppm的B9溶液。使用本方法栽培彩葵可以使彩葵的株高明显降低，也为无花粉彩葵杂交种提供了一个控制株高的实用方法，具有一定的应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
