一种金刚烷胺分子印迹膜压电传感器的制备方法
- 专利权人:
- 天津科技大学
- 发明人:
- 潘明飞,云雅光,刘冰,王硕
- 申请号：
- CN201611072477.6
- 公开号：
- CN108120652A
- 申请日:
- 2016.11.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 陈松
- 摘要：
- 本发明公开了一种金刚烷胺分子印迹膜压电传感器的制备方法和应用。石英金电极依次经过预处理、氧化石墨烯‑金纳米复合材料的修饰、电聚合反应、模板分子洗脱步骤制备得到金刚烷胺分子印迹膜压电传感器。本发明制备的分子印迹传感材料通过氧化石墨烯和金纳米颗粒掺杂，增加印迹位点来提高灵敏度。该分子印迹压电传感器将分子印迹聚合物选择特异性识别与压电传感器微型化，免标记，高灵敏性和快速响应等优点结合起来，对动物源性食品中的金刚烷胺残留提供了一种简单、快速、特异、灵敏的压电传感检测方法，对金刚烷胺的检测线性范围为1.0×10‑5～1.0×10‑3mmol L‑1。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
