The array of CMUT cells 10 has a DC bias voltage VB coupled to the cell's membrane and floor electrodes to bias the electrodes into the desired collapsed or partially collapsed state. The low voltage or ground terminal of the DC bias power supply is coupled to the membrane electrode 20 facing the patient, and a high voltage is applied to the floor electrode 22. An ASIC for controlling the CMUT array is disposed in a probe 100 ′ having the array. The ASIC electronic component is electrically floating with respect to the ground potential of the ultrasonic system 150 to which the CMUT probe is connected. Control line 82 and signal line 84 are coupled to the CMUT probe by a level shifter 90 that converts the signal to the floating potential of the ASIC and provides DC isolation between the CMUT probe and the ultrasound system.CMUTセル10のアレイは、前記セルの膜電極及び床電極に結合されたDCバイアス電圧VBを有し、前記電極を所望の崩壊又は部分崩壊状態にバイアスする。DCバイアス電源の低電圧又は接地端子は、患者に面する膜電極20に結合され、高電圧が、床電極22に印加される。前記CMUTアレイを制御するASICは、前記アレイを持つプローブ100'内に配置される。ASIC電子部品は、前記CMUTプローブが接続されている超音波システム150の接地電位に対して電気的にフローティングである。制御線82及び信号線84は、信号を前記ASICのフローティング電位に変換し、前記CMUTプローブと前記超音波システムとの間にDC分離を提供するレベルシフタ90によって前記CMUTプローブに結合される。
