Хартвелл Саманта Дон (GB),Хадсон Дональд Энтони (ZA)
申请号：
RU2013154702/14
公开号：
RU2013154702A
申请日:
2011.11.02
申请国别(地区):
RU
年份:
2015
代理人:
摘要：
1. A noninvasive healing stimulator in the wound,Where negative pressure treatment is applied)In this case, the device includes a contact layer with the wound,SiliceousAnd the number and proportion of open spaces,Adequate,To inhibit the formation of scar tissue, use Troy in wound 2. P.1 devices with different themesIt also includes the contact layer with the wound,Contains multiple holes,At the same time, the combined area of these holes includes the opening space,Moreover, the open space comprises about 20% or less of the total floor area,Contact wound P.2 devices with different themesWhat is an additional through hole,Composites with rubber and gapsAnd / or round holes,And / or square holes,And / or polygonal holes,And / or elliptical holes. Any pp.1-3 equipment with special theme,What is the contact layer including the wound,Silicone adhesive Any pp.1-3 equipment with special theme,This also includes at least one absorbing exudate near a designated contact layer to retain the exudate,Pass through the designated opening from the wound. P.4 devices with different themesThis also includes at least one absorbing exudate near a designated contact layer to retain the exudate,Pass through the designated opening from the wound. device1. Устройство для стимуляции безрубцового заживления раны на участке раны, где применяется терапия ран отрицательным давлением (ТРОД), при этом устройство включает контактирующий с раной слой, содержащий силикон, и открытое пространство в количестве и соотношении, достаточном для того, чтобы подавлять образование рубцовой ткани при применении ТРОД на участке раны.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительно включает упомянутый контактирующий с раной слой, содержащий множество сквозных отверстий, причем объединенная площадь указанных отверстий включает упомянутое открытое пространство, и причем упомянутое открытое пространство включает приблизительно 20% или менее общей площади слоя, контактирующего с раной.3. Устройство по п.2,
