一种仿生双层缓释生长因子膜及其制备和应用
- 专利权人:
- 中国科学院大连化学物理研究所
- 发明人:
- 孙广炜,刘洋,张英,赵姗
- 申请号：
- CN201611032988.5
- 公开号：
- CN108066818A
- 申请日:
- 2016.11.17
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种仿生双层缓释生长因子膜,其特征在于此仿生双层缓释生长因子膜具有类似体内细胞外基质的组成,且其包括正电层和负电层两层,能够实现带负电和带正电的生长因子的同时缓释。本发明还提供上述仿生双层缓释生长因子膜的制备方法,步骤为:(1)制备正电层成胶水溶液;(2)制备负电层成胶水溶液;(3)进行中和、清洗及干燥,得到仿生双层膜。本发明操作简单,成本低,带负电和带正电的生长因子可分别静电吸附在仿生膜的正电层和负电层,随着仿生双层膜的逐渐降解而同时持续释放出来。本发明克服了已有技术的缺陷,在组织修复等再生医学领域中将发挥重要作用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
