The imaging detector includes a processing electronics 208 having a thermal coefficient approximately equal to the sum of the thermal coefficients of the light sensor array 204 and the scintillator array 202 of the detector. In another example, the imaging detector includes an A / D converter 302 for alternately converting a first charge corresponding to the impinging radiation into a first signal and a second charge corresponding to the decay charge to a second signal, And a logic unit 308 for correcting the first signal based on the first signal. In another example, the imaging detector includes an A / D converter 302, an integrator offset voltage signal determiner 318, and a logic unit 308, where the determiner 318 derives current through an offset voltage and A / D converter 302 measures the current, and the logic unit 308 calculates the resistance of the photosensor array 204 based on the reference voltage and the measured current.이미징 검출기는 상기 검출기의 광센서 어레이(204) 및 신틸레이터 어레이(202)의 열 계수들의 합의 부와 거의 같은 열 계수를 갖는 프로세싱 전자기기(208)를 포함한다. 다른 예에서, 이미징 검출기는 충돌하는 방사선에 대응하는 제 1 전하를 제 1 신호로 및 붕괴 전하에 대응하는 제 2 전하를 제 2 신호로 교호하여 변환하는 A/D 변환기(302) 및 제 2 신호에 기초하여 제 1 신호를 정정하는 논리 유닛(308)을 포함한다. 다른 예에서, 이미징 검출기는 A/D 변환기(302), 적분기 오프셋 전압 신호 결정기(318), 및 논리 유닛(308)을 포함하고, 여기서 결정기(318)는 오프셋 전압을 통하여 전류를 유도하고, A/D 변환기(302)는 전류를 측정하고, 논리 유닛(308)은 기준 전압 및 측정 전류에 기초하여 광센서 어레이(204)의 저항을 계산한다.
