您的位置：
首页
>
农业专利
>
详情页
水平及び垂直な部分を備えるダマシン型磁気トンネル接合構造及びその製造方法
- 专利权人:
- クアルコム，インコーポレイテッド
- 发明人:
- シア・リ
- 申请号：
- JP20170041442
- 公开号：
- JP2017103489(A)
- 申请日:
- 2017.03.06
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】ＭＴＪのフォトプロセスおよびエッチングプロセスを実行することにより、望ましくない傾斜、角の丸まり、および望ましくない薄膜の喪失が起こり得る。そのような損傷は、ＭＴＪ構造の接触抵抗に影響を与えることがあり、さらには、ＭＴＪ接合を露出させまたは損傷する可能性がある。【解決手段】ある特定の例示的な実施形態では、デバイス基板を覆って金属層を形成するステップと、金属層と接触するビアを形成するステップと、ビアの上に誘電層を追加するステップとを含む、半導体デバイスを製造する方法が開示される。方法はさらに、誘電層の一部をエッチングしてトレンチ領域を形成するステップと、トレンチ領域の中に垂直磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造を堆積するステップとを含む。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
