The present invention relates to an anti-scattering grid (ASG) assembly having first and second grids, wherein the second grid is disposed on the first grid and has a lateral shift. The lamellar thickness of the first grid is smaller than the lamellar thickness of the second grid. The invention further relates to a detector device comprising a pixel detector and an ASG assembly disposed on the pixel detector.本発明は、第１及び第２のグリッドを有する散乱線除去グリッド（ＡＳＧ）アセンブリに関し、前記第２のグリッドは、前記第１のグリッドの上に配置され、横シフトを有する。前記第１のグリッドのラメラ厚さは、前記第２のグリッドのラメラ厚さより小さい。本発明は、更に、画素検出器と、前記画素検出器の上に配置されたＡＳＧアセンブリとを有する検出器装置に関する。
