透明外延铁电薄膜电容器及其制备方法

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专利权人:

中国科学技术大学

发明人:

陈峰,吴文彬

申请号：

CN200610096236.5

公开号：

CN1933067A

申请日:

2006.09.30

申请国别(地区):

中国

年份:

2007

代理人:

金惠贞

摘要：

本发明透明外延铁电薄膜电容器及其制备方法，特征是利用脉冲激光沉积镀膜方法在透明导电薄膜镧锶锡氧薄膜上外延生长四方相锆钛酸铅铁电薄膜，然后在锆钛酸铅铁电薄膜上沉积镧锶锡氧薄膜；得到基底为透明单晶钛酸锶STO(SrTiO₃ (001))、铁电电介质层为四方相锆钛酸铅PZT(PbZr_xTi_1－xO₃)薄膜，其上电极和下电极为具有类钙钛矿结构的透明导电薄膜镧锶锡氧LSSO(La_xSr_1－xSnO₃，0.05≤x≤0.10)薄膜；生长的PZT铁电薄膜具有很好的外延单晶性；所得LSSO/PZT/LSSO/STO结构的外延铁电薄膜电容器，不仅具有很好的铁电回线，而且在400nm－2500nm范围内具有高透过率。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/