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深脑电剌激探针及深脑电剌激装置
- 专利权人:
- 先健科技(深圳)有限公司
- 发明人:
- 陈文俊,庄少春,崔招焕,刘鹏
- 申请号：
- CN201320507869.6
- 公开号：
- CN203379485U
- 申请日:
- 2013.08.19
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本实用新型适用于电剌激设备领域，提供了一种深脑电剌激探针及深脑电剌激装置，该深脑电剌激探针包括：主体，主体具有内腔；多根导线，多根导线穿设于内腔中；和多个电极；主体包括膨胀式端部，膨胀式端部在其膨胀后形成具有多个侧面的柱体；电极设置在柱体的侧面上并形成电极阵列，柱体的多个侧面中，至少两个侧面上的电极阵列中的电极的位置互不相同；每个电极至少与一根导线电连接。该深脑电剌激探针的通过设置膨胀式端部并将电极设于该端部，从而保证该端部尺寸较小，便于植入脑部目标区域；同时该端部为膨胀式结构，在植入脑部后，不仅可以轴向调整电极位置，而且可以径向调整电极位置，实现精确调整和定位的电极位置。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
