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一种高浓度人工负离子发射装置
专利权人:
郭战立
发明人:
郭战立
申请号:
CN201520285665.1
公开号:
CN204558889U
申请日:
2015.05.06
申请国别(地区):
CN
年份:
2015
代理人:
摘要:
一种高浓度人工负离子发射装置,它涉及负离子发射技术领域,玻璃前面板上设有负离子发射口,所述的尖端发射板上的发射针针尖与玻璃前面板之间的距离为0.35cm;所述的负离子发射口的中心与负离子发射口的最远点的距离L1为0.65cm,与负离子发射口的最近点的距离L2为0.47cm。它结构简单,设计合理,操作方便,可以有效防止结构内产生电联,使负离子散发集中,可释放高浓度负离子,且负离子散发的距离更远。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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