一种结构疏松的沉淀二氧化硅的制备方法
- 专利权人:
- 确成硅化学股份有限公司
- 发明人:
- 王永庆,马加佳
- 申请号：
- CN202110758501.6
- 公开号：
- CN113321220A
- 申请日:
- 2021.07.05
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种结构疏松的沉淀二氧化硅的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)将硅酸盐和电解质混合溶解，得到底液，底液中的电解质浓度为10～25wt％；(2)向底液中加入酸化剂，然后将底液温度升高4～16℃，至pH值为7～9；(3)再向底液中加入硅酸盐，同时加入酸化剂使pH值维持基本不变；(4)硅酸盐加入完毕后继续加入酸化剂，至pH值为4.5～6，老化。与现有技术相比，本发明方法所用原材料多样易得，工艺简单易行，所制备的沉淀二氧化硅具有结构疏松，超声解聚速度快，高分散性，孔隙分布均匀的优点，有着广泛的应用领域。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
