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二比空双株玉米密植栽培方法
专利权人:
宫力臣
发明人:
宫力臣
申请号:
CN201610419930.X
公开号:
CN105900677A
申请日:
2016.06.13
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
刘峰
摘要:
一种二比空双株玉米密植栽培方法,选用适合当地的密植品种,其种植方式采用宽窄行种植,即种两垄空一垄,大垄垄距110~130厘米,小垄垄距约为大垄垄距的1/2,每穴留苗二株,穴距在20~26厘米,亩留苗6300株~7400株,施肥比普通种植方式增加20~30%.本栽培方法能够大幅度提高玉米单位面积产量,增产增收。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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