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一种促进三叶青离体块根体积膨大的方法
专利权人:
发明人:
洪森荣,杨庆宝,宋粤涛,张嘉美
申请号:
CN202211505547.8
公开号:
CN115669543A
申请日:
2022.11.28
申请国别(地区):
CN
年份:
2023
代理人:
摘要:
本发明公开了一种促进三叶青离体块根体积膨大的方法,具体涉及植物块根脱毒和离体诱导的技术领域。具体包括以下步骤:(1)将三叶青茎段进行消毒处理后,包埋成海藻酸钙凝胶珠,然后转入第一培养基中进行预培养;(2)将步骤(1)所得预培养后的茎段加入至PVS2溶液中进行装载,再加入同等体积的分散有碳纳米管的PVS2溶液脱水,接着经超低温冷冻、化冻后,进行恢复培养,即得体积膨大的三叶青离体块根。本发明采用玻璃化超低温疗法来培养三叶青离体块根,不仅促进了三叶青离体块根体积的膨大,还提高了脱毒率和成活率。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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