中枢记忆性T细胞体及其外培养方法
- 专利权人:
- 北昊干细胞与再生医学研究院有限公司
- 发明人:
- 吴海涛,聂慧蓉,施念,沈政,吴灵
- 申请号：
- CN201711466562.5
- 公开号：
- CN108165529A
- 申请日:
- 2017.12.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 万志香
- 摘要：
- 本发明公开了一种中枢记忆性T淋巴细胞的体外培养方法，该方法包括以下在初始培养基中加入有IL‑21，培养环境中氧气浓度为1±0.1％；在培养第7天时，再扩增培养基中加入有IL‑21和雷帕霉素。本发明首次公开了在恰当的培养过程中，应用雷帕霉素、白介素21和低氧环境，三者联合，可以提高中枢记忆性T细胞比例、抑制其向效应细胞分化、增加其对肿瘤细胞的杀伤作用的体外培养扩增方法。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
