您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

中枢记忆性T细胞体及其外培养方法
专利权人:
北昊干细胞与再生医学研究院有限公司
发明人:
吴海涛,聂慧蓉,施念,沈政,吴灵
申请号:
CN201711466562.5
公开号:
CN108165529A
申请日:
2017.12.28
申请国别(地区):
中国
年份:
2018
代理人:
万志香
摘要:
本发明公开了一种中枢记忆性T淋巴细胞的体外培养方法,该方法包括以下在初始培养基中加入有IL‑21,培养环境中氧气浓度为1±0.1%;在培养第7天时,再扩增培养基中加入有IL‑21和雷帕霉素。本发明首次公开了在恰当的培养过程中,应用雷帕霉素、白介素21和低氧环境,三者联合,可以提高中枢记忆性T细胞比例、抑制其向效应细胞分化、增加其对肿瘤细胞的杀伤作用的体外培养扩增方法。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充