PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that a circuit area tends to be large in a conventional semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device includes: a branch circuit 22 for generating a plurality of branch measurement instruction signals from one measurement instruction signal； a transmission side delay circuit 23 for imparting delay time to the plurality of branch measurement instruction signals respectively and generating N probe signals； M predriver circuits 25 for transmitting the probe signals to a circuit in a subsequent stage； M driver circuits 26 for driving N ultrasonic elements on the basis of the probe signals； and an active range switching circuit for selecting N predriver circuits 25 and the driver circuits 26 for transmitting N probe signals from M predriver circuits and the driver circuits, and switching a selected range according to a scan timing of a measurement range. In a circuit in a stage prior to the predriver circuit 25, the circuit is composed of a low breakdown-strength element, and in the driver circuit, the circuit is composed of a high breakdown-strength element.SELECTED DRAWING: Figure 2COPYRIGHT: (C)2020,JPO&INPIT【課題】従来の半導体装置では、回路面積が大きくなる問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置は、１つの計測指示信号から複数の分岐計測指示信号を生成する分岐回路２２と、複数の分岐計測指示信号に対してそれぞれ遅延時間を与えてＮ本のプローブ信号を生成する送信側遅延回路２３と、プローブ信号を後段の回路に伝達するＭ個のプリドライバ回路２５と、プローブ信号に基づきＮ個の超音波素子を駆動するＭ個のドライバ回路２６と、Ｍ個のプリドライバ回路及びドライバ回路の中からＮ本のプローブ信号を伝達させるＮ個のプリドライバ回路２５及びドライバ回路２６を選択し、選択した範囲を測定範囲の走査タイミングに応じて切り替えるアクティブ範囲切替回路と、を有し、プリドライバ回路２５より前段の回路は、低耐圧素子により回路が構成され、前記ドライバ回路は、高耐圧素子により回路が構成される。【選択図】図２
