一种基于复合半导体纳米材料的简易型电致化学发光免疫传感器的制备方法及应用

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专利权人:

济南大学

发明人:

花小霞,周长利,夏方诠

申请号：

CN201610126877.4

公开号：

CN105759026A

申请日:

2016.03.07

申请国别(地区):

中国

年份:

2016

代理人:

李茜

摘要：

一种基于复合半导体纳米材料的简易型电致化学发光免疫传感器的制备方法及应用。本发明涉及电致化学发光免疫传感器技术领域，特别是涉及一种以类石墨氮化碳和二硫化钼纳米复合物（g‑C₃N₄/MoS₂）为发光材料和基底材料的简易型免疫传感器的制备方法及应用。将g‑C₃N₄和MoS₂两种带隙相近的半导体纳米材料复合可以有效提高传感器的发光强度、增强稳定性。基于抗原抗体之间的特异性结合，该传感器用于检测甲胎蛋白，根据不同浓度的甲胎蛋白对电子传递阻碍程度不同，继而使得传感器电致化学发光强度不同，实现甲胎蛋白的检测。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/