神经电极结构及其植入方法和制作方法
- 专利权人:
- 国家纳米科学中心
- 发明人:
- 方英,王晋芬,管寿梁
- 申请号：
- CN202210559274.9
- 公开号：
- CN114699087A
- 申请日:
- 2022.05.23
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2022
- 代理人:
- 摘要：
- 一种神经电极结构及其植入方法和制作方法，该神经电极结构包括：彼此连接的柔性的网格部分和柔性的辅助植入部分；所述网格部分包括网格线，所述网格线包括数据传输网格线，所述数据传输网格线包括数据信号线和绝缘部，所述绝缘部包裹部分所述数据信号线；所述数据信号线包括电极位点，且所述绝缘部暴露所述电极位点；所述辅助植入部分包括条形部，所述条形部的在其延伸方向上的第一端与所述网格部分连接，所述条形部的与其第一端相对的第二端远离所述网格部分。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
