Siliziumdetektor zur Bilderzeugung eines Objekts mittels Röntgenstrahlen, wobei der Detektor auf mehreren Halbleiter-Detektormodulen (A) basiert, die gemeinsam eine Gesamt-Detektorfläche bilden, wobei jedes Halbleiter-Detektormodul einen Röntgensensor aus kristallinem Silizium aufweist, der mit seinem Rand zu den ankommenden Röntgenstrahlen ausgerichtet ist und an eine integrierte Schaltung zur Erfassung der Röntgenstrahlen angeschlossen ist, die im Röntgensensor durch den photoelektrischen Effekt und die Compton-Streuung und auf eine einfallende Röntgenenergie zwischen 40 keV und 250 keV interagieren, um die Raum- und Energieinformationen aus diesen Interaktionen bereitzustellen, um ein Bild des Objekts zu ermöglichen. Ferner sind Anti-Streuungs-Module (B) zumindest zwischen einer Teilmenge der Halbleiter-Detektormodule eingefügt, um zumindest teilweise die Röntgenstrahlen mit Compton-Streuung zu absorbieren.A silicon detector for imaging an object by means of X-rays, wherein the detector is based on a plurality of semiconductor detector modules (A) which together form an overall detector surface, each semiconductor detector module comprising a crystalline silicon X-ray sensor aligned with its edge to the incoming X-rays and connected to an integrated X-ray detection circuit which interacts in the X-ray sensor by the photoelectric effect and the Compton scattering and to an incident X-ray energy between 40 keV and 250 keV to provide the space and energy information from these interactions to allow an image of the object. Further, anti-scattering modules (B) are inserted at least between a subset of the semiconductor detector modules to at least partially absorb the Compton scattered X-rays.
