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ÉMETTEUR DE LUMIÈRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉMETTEUR DE LUMIÈRE, ET AGENT DE MARQUAGE D'UNE SUBSTANCE BIOLOGIQUE
专利权人:
株式会社村田製作所; LTD.;MURATA MANUFACTURING CO.;MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人:
NAGANO Takahito,長野貴仁,FUJIHIRA Norikazu,藤平紀一
申请号:
JPJP2016/078513
公开号:
WO2017/126164A1
申请日:
2016.09.27
申请国别(地区):
JP
年份:
2017
代理人:
摘要:
The present invention is formed of nanoparticles comprising a compound semiconductor containing Ag, In, and Se as components. The peak wavelength of the intensity of light emitted by the light emitter is within the range of 700-1400 nm, and the half-width ΔH of the peak wavelength is 100 nm or less. An Ag-In precursor solution is formulated by dissolving an Ag compound and an In compound in a modifier, and a Se precursor solution is formulated by dissolving Se powder in a solvent. The Se precursor solution is poured into the Ag-In precursor solution heated to, for example, 150°C to prepare a mixture solution. Thereafter, the mixture solution is heated at a reaction temperature of 200°C or more for approximately 30-120 minutes to produce the light emitter. The biological substance-labeling agent includes this light emitter. As a result, a light emitter which can emit intense light in a near-infrared region to allow for detection of a large amount of biological information, and is suitable for bioimaging, a production method therefor, and a biological substance-labeling agent, are obtained.La présente invention est formée de nanoparticules comprenant un semi-conducteur composé contenant de l'Ag, In, et Se comme constituants. La longueur d'onde pic de l'intensité de lumière émise par l'émetteur de lumière se situe dans la plage de 700 à 1 400 nm, et la demi-largeur ΔH de la longueur d'onde pic est de 100 nm ou moins. Une solution précurseur d'Ag-In est formulée par dissolution d'un composé d'Ag et d'un composé d'In dans un agent de modification, et une solution précurseur de Se est formulée en dissolvant la poudre de Se dans un solvant. La solution précurseur de Se est versée dans la solution précurseur d'Ag-In chauffée, par exemple, jusqu'à 150 °C pour préparer une solution de mélange. Par la suite, la solution de mélange est chauffée à une température réactionnelle de 200 °C ou plus durant approximativement 30 à 120 minutes pour produire l'émetteur de lumière. L'agen
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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